[发明专利]用于堆叠器件的互连结构和方法

摘要

本发明公开了一种堆叠集成电路（IC）器件以及方法。堆叠IC器件包括第一半导体元件和接合在第一半导体元件上的第二半导体元件。第一半导体元件包括第一衬底、第一衬底中的公共导电部件、第一层间介电（ILD）层、第一互连部件，以及将第一互连部件连接至公共导电部件的导电插塞。第二半导体元件包括第二衬底、第二衬底上的第二ILD层以及第二ILD层中的第二互连部件。器件还包括导电深接塞，其与第一半导体元件中的公共导电部件和第二互连部件相连接。导电深插塞与导电插塞之间由所述第一ILD层分开。本发明还公开了用于堆叠器件的互连结构和方法。

主权项

一种器件，包括：第一半导体元件，包括：第一衬底；位于所述第一衬底中的公共导电部件；形成在所述第一衬底上方的第一介电层中的第一互连部件；和将所述第一互连部件连接至所述公共导电部件的导电插塞；第二半导体元件，接合到所述第一半导体元件，所述第二半导体元件包括：第二衬底；和形成在所述第二衬底上方的第二层间介电层中的第二互连部件；以及导电深插塞，连接至所述第一半导体元件中的公共导电部件和所述第二半导体元件中的第二互连部件，并通过所述第一介电层与所述导电插塞分隔开。