[发明专利]一种阻抗匹配方法有效
申请号: | 201310412111.9 | 申请日: | 2013-09-11 |
公开(公告)号: | CN104425208B | 公开(公告)日: | 2018-01-19 |
发明(设计)人: | 韦刚;李兴存;宋铭明 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H05H1/46 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人: | 彭瑞欣,张天舒 |
地址: | 100176 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种阻抗匹配方法,用于在交替循环的刻蚀和沉积中使得射频电源的阻抗和匹配网络与反应腔的阻抗匹配,该方法包括在前N个刻蚀步骤中和前N个沉积步骤中通过调节匹配网络实现阻抗匹配,并获取匹配网络的刻蚀步骤阻抗值和沉积步骤阻抗值;在后续的刻蚀步骤中和沉积步骤中,分别设定匹配网络的阻抗值为刻蚀步骤阻抗值和沉积步骤阻抗值,并通过调节射频电源的频率实现阻抗匹配。与现有技术相比,本发明有较快的匹配速度,能够稳定地实现阻抗匹配,避免了刻蚀和沉积效果不均匀的问题。同时,本发明使用扫频匹配时,无需预先确定匹配网络中各元件的参数值,减少了工艺开发的工作量。 | ||
搜索关键词: | 一种 阻抗匹配 方法 | ||
【主权项】:
一种阻抗匹配方法,用于在交替循环的刻蚀和沉积中使得射频电源的阻抗和匹配网络与反应腔的阻抗匹配,其特征在于,所述阻抗匹配方法包括:S1、在前N个刻蚀步骤中,调节所述匹配网络,使所述射频电源的阻抗和所述匹配网络与所述反应腔的阻抗匹配,并获取所述匹配网络的刻蚀步骤阻抗值,以及在前N个沉积步骤中,调节所述匹配网络,使所述射频电源的阻抗和所述匹配网络与所述反应腔的阻抗匹配,并获取所述匹配网络的沉积步骤阻抗值;S2、在第N+1个以及后续的刻蚀步骤中,设定所述匹配网络的阻抗值为所述刻蚀步骤阻抗值,在第N+1个以及后续的沉积步骤中,设定所述匹配网络的阻抗值为所述沉积步骤阻抗值,并在第N+1个以及后续的刻蚀步骤和第N+1个以及后续的沉积步骤中,调节所述射频电源的频率,以使所述射频电源的阻抗和所述匹配网络与所述反应腔的阻抗匹配;其中,N为预先设定的正整数;N大于1时,所述S1中获取的所述匹配网络的刻蚀步骤阻抗值为:前N个刻蚀步骤中每个刻蚀步骤调节所述匹配网络后得到的所述匹配网络的阻抗值的平均值;所述S1中获取的所述匹配网络的沉积步骤阻抗值为:前N个沉积步骤中每个沉积步骤调节所述匹配网络后得到的所述匹配网络的阻抗值的平均值。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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