[发明专利]半导体装置无效
| 申请号： | 201310412149.6 | 申请日： | 2013-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN104183484A | 公开（公告）日： | 2014-12-03 |
| 发明（设计）人： | 上野胜典 | 申请（专利权）人： | 古河电气工业株式会社;富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/33 | 分类号： | H01L21/33;H01L29/778 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴秋明 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置，其具有高破坏耐量。半导体装置具备：第1元件，其是由氮化物系化合物半导体构成的常导通型的晶体管；第2元件，其与所述第1元件串联连接，是源极-漏极间的耐压低于所述第1元件的晶体管；第1二极管，其在所述第1元件或所述第2元件的栅极与所述第1元件的漏极之间按照阴极与所述漏极侧连接的方式连接，并且具有规定的雪崩耐压；和第1电阻，其与连接了所述第1二极管的所述栅极连接，其中，所述第1二极管的雪崩耐压低于所述第1元件的破坏电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备：第1元件，其是由氮化物系化合物半导体构成的常导通型的晶体管；第2元件，其与所述第1元件串联连接，是源极‑漏极间的耐压低于所述第1元件的晶体管；第1二极管，其在所述第1元件或所述第2元件的栅极与所述第1元件的漏极之间按照阴极与所述漏极侧连接的方式进行连接，并且具有规定的雪崩耐压；和第1电阻，其与连接了所述第1二极管的所述栅极连接，所述第1二极管的雪崩耐压低于所述第1元件的破坏电压。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
