[发明专利]半导体结构的形成方法有效
| 申请号： | 201310413418.0 | 申请日： | 2013-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN103456620A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 黄秋平;许颂临 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，半导体衬底表面形成有具有开口的掩膜层，所述开口宽度为第一尺寸；以掩膜层为掩膜，对所述半导体衬底进行第一刻蚀，在半导体衬底内形成第一凹槽，第一刻蚀形成的第一凹槽具有倾斜侧壁，并且第一凹槽的顶部宽度为第二尺寸，所述第二尺寸大于第一凹槽的底部宽度以及第一尺寸；沿第一凹槽对所述半导体衬底进行第二刻蚀，形成具有第二深度的第二凹槽，使所述第二凹槽的侧壁倾斜度低于所述第一凹槽的倾斜度；在进行第二刻蚀之后，对半导体衬底进行第三刻蚀，直到形成预设深度的通孔，所述第三刻蚀工艺包括循环交替的刻蚀步骤和沉积步骤。上述方法可以形成宽度大于掩膜层内开口宽度的通孔。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有具有开口的掩膜层，所述开口的宽度为第一尺寸；以所述掩膜层为掩膜，对所述半导体衬底进行第一刻蚀，在所述半导体衬底内形成第一凹槽，所述第一刻蚀形成的第一凹槽具有倾斜侧壁，并且所述第一凹槽的顶部宽度为第二尺寸，所述第二尺寸大于第一凹槽的底部宽度以及所述第一尺寸；沿所述第一凹槽对所述半导体衬底进行第二刻蚀，形成具有第二深度的第二凹槽，使所述第二凹槽的侧壁倾斜度低于所述第一凹槽的倾斜度；在进行第二刻蚀之后，对半导体衬底进行第三刻蚀，直到形成预设深度的通孔，所述第三刻蚀工艺包括循环交替的刻蚀步骤和沉积步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
