[发明专利]基于电化学双极性行为提高微电极阵列电极密度的方法和电极构型在审
| 申请号： | 201310414626.2 | 申请日： | 2013-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN103489751A | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 朱凤;颜佳伟;毛秉伟 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 张松亭 |
| 地址： | 361000 *** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了基于电化学双极性行为提高微电极阵列电极密度的方法和电极构型，属于微电极阵列电化学领域，微电极阵列研究中关于如何设计电极间距以使其可以保持微电极稳态的性质，同时可以达到电流加和的目的一直是一个热点。本发明提出一种基于电化学双极性现象的平面-凹微电极阵列的电极构型，在凹微电极阵列的正上方引入一层平面金属膜，所述的金属膜覆盖凹微电极阵列的绝缘层，而裸露微电极。从而使得微电极阵列在电极间距很小的情况下仍然获得稳态响应的性质，同时由于微电极上的双极性现象，稳态电流比普通电极上的稳态电流要大，从而可以在一个小的芯片上获得较大的电流响应，电流密度值增大至少一个数量级。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 电化学 极性 行为 提高 微电极 阵列 电极 密度 方法 构型 | ||
【主权项】：
一种提高微电极阵列电极密度的方法，其特征在于：在凹微电极阵列的正上方引入一层平面金属膜，所述的金属膜覆盖凹微电极阵列的绝缘层，而裸露微电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
