[发明专利]高强高模有机硅改性PI/SiO2杂化薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201310419719.4 | 申请日： | 2013-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN103483585A | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 石光;陈银珊;黄雨鸣;陈建平 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | C08G73/10 | 分类号： | C08G73/10;C08L79/08;C08K3/36;C08J5/18 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 郑莹 |
| 地址： | 510631 广东省广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种高强高模有机硅改性PI/SiO2杂化薄膜的制备方法，包括以下步骤：1）将氨基硅烷偶联剂与芳香族二酐在溶剂中进行充分的反应；2）将芳香族二胺溶于溶剂中制成溶液，向此溶液中加入步骤1）的体系、芳香族二酐、正硅酸乙酯进行聚合反应得到有机硅改性聚酰胺酸溶液；3）将上步得到的有机硅改性聚酰胺酸溶液稀释，再涂覆到支撑体上，烘烤得到薄膜；4）将薄膜升温脱水交联，制得产物。本发明制得的杂化膜具有较高的拉伸强度与弹性模量，避免了常规加入溶胶-凝胶状态二氧化硅给体系带来大量水的弊端，本发明提出的制备方法能很好地控制反应的均匀性和准确性，实验周期短，工艺简单，适合工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 高强 有机硅 改性 pi sio sub 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高强高模有机硅改性PI/SiO2杂化薄膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：1）将氨基硅烷偶联剂与芳香族二酐在溶剂中进行充分的反应；2）将芳香族二胺溶于溶剂中制成溶液，向此溶液中加入步骤1）的体系、芳香族二酐、正硅酸乙酯进行聚合反应得到有机硅改性聚酰胺酸溶液；3）将上步得到的有机硅改性聚酰胺酸溶液稀释，再涂覆到支撑体上，烘烤得到薄膜；4）将薄膜升温脱水交联，制得产物。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华南师范大学，未经华南师范大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310419719.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：成型机的射出装置
- 下一篇：一种梳齿结构的微机电磁场传感器
- 同类专利
- 专利分类
