[发明专利]一种多孔硅材料及其制备方法无效
| 申请号： | 201310422037.9 | 申请日： | 2013-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN103508458A | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | 苏发兵;张在磊;王艳红;朱永霞;翟世辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院过程工程研究所 |
| 主分类号： | C01B33/107 | 分类号： | C01B33/107 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋;侯桂丽 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及多孔硅材料及其制备方法。多孔硅材料的制备方法如下：在固体铜基催化剂作用下，硅材料与氯甲烷在401-800℃下原位催化反应，并通过煅烧、酸洗、碱洗等后处理除杂技术制备多孔硅材料，其中，固体铜基催化剂包含主催化剂CuOx、CuCl、CuCl2中的1种或2种以上的混合物，0≤x≤1，及少量助催化剂。调节反应条件参数可以调控硅材料的孔径大小、分布及孔隙率。本发明不仅获得目前专利技术难以得到的多孔硅材料，还可以得到重要的有机硅单体化学品。利用该方法制备的多孔硅材料，孔径均一，生产成本低，工艺简单，适合于工业化生产，具有广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多孔 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种多孔硅材料的制备方法，包括如下步骤：1）在固体铜基催化剂作用下，硅与氯甲烷在401‑800℃下加热反应，并控制硅不完全反应；2）去除杂质并分离未反应的硅后，得到多孔硅材料，同时副产有机硅单体；其中，固体铜基催化剂包含主催化剂CuOx、CuCl、CuCl2中的1种或2种以上的混合物，0≤x≤1，及少量助催化剂。
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