[发明专利]一种发光二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 201310422938.8 | 申请日： | 2013-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN104465919B | 公开（公告）日： | 2017-05-24 |
| 发明（设计）人： | 朱广敏;郝茂盛 | 申请（专利权）人： | 上海蓝光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种发光二极管及其制造方法，所述发光二极管包括生长衬底；发光外延结构，所述发光外延结构形成有N电极焊盘制备区域及N电极引线制备区域；电流扩展层，其对应于P电极引线处具有间隔排列的多个开孔；N电极，包括N电极焊盘以及N电极引线；P电极，包括P电极焊盘、及P电极引线；透明绝缘结构，包括结合于N电极焊盘及N电极焊盘制备区域之间的部分界面的第一绝缘层；呈多个绝缘层段结合于N电极引线及N电极引线制备区域之间的第二绝缘层；以及结合于P型层及电流扩展层之间、位于P电极下方、且形状与P电极对应的第三绝缘层。本发明可使发光二极管的电流分布更均匀，并有效提高出光效率，从而提高亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，其特征在于，至少包括：生长衬底；发光外延结构，至少包括N型层、量子阱层及P型层，所述发光外延结构具有去除了部分的P型层、量子阱层及N型层所形成的N电极焊盘制备区域及N电极引线制备区域；电流扩展层，形成于所述P型层之上，其对应于P电极引线处具有间隔排列的多个开孔；N电极，包括形成于所述N电极焊盘制备区域的N电极焊盘以及形成于所述N电极引线制备区域的N电极引线；P电极，包括形成于所述电流扩展层表面的P电极焊盘、及形成于所述电流扩展层表面且填充于所述开孔的P电极引线；透明绝缘结构，包括：结合于所述N电极焊盘及N电极焊盘制备区域之间的部分界面的第一绝缘层；呈多个绝缘层段结合于所述N电极引线及N电极引线制备区域之间的第二绝缘层；以及结合于所述P型层及电流扩展层之间、位于所述P电极下方、且形状与所述P电极对应的第三绝缘层。
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