[发明专利]嵌入式存储器及其形成方法

摘要

本发明提供了一种嵌入式闪存存储器件，包括栅叠件，以及位于半导体衬底中的源极和漏极区。第一源极和漏极区位于栅叠件的相对两侧。栅叠件包括位于半导体衬底上方的底部介电层、位于底部介电层上方的电荷捕获层、位于电荷捕获层上方的顶部介电层、位于顶部介电层上方的高k介电层，以及位于高k介电层上方的金属栅极。本发明还提供了一种形成嵌入式闪存存储器件的方法。

主权项

一种嵌入式存储器件，包括：半导体衬底；以及嵌入式闪存存储器件，包括：第一栅叠件，包括：底部介电层，直接设置在所述半导体衬底上方；电荷捕获层，位于所述底部介电层上方；顶部介电层的第一部分，直接设置在所述电荷捕获层上方；第一高k介电层，位于所述顶部介电层的第一部分上方；和第一金属覆盖层，位于所述第一高k介电层上方；第一金属栅极，位于所述第一高k介电层和所述第一金属覆盖层上方；以及第一源极和漏极区，位于所述半导体衬底中，所述第一源极和漏极区位于所述第一栅叠件的相对两侧；高压(HV)晶体管，包括：第二栅叠件，包括：顶部介电层的第二部分，直接设置在所述半导体衬底上方；第二高k介电层，位于所述顶部介电层的第二部分上方；和第二金属覆盖层，位于所述第二高k介电层上方；第二金属栅极，位于所述第二高k介电层和所述第二金属覆盖层上方；以及第二源极和漏极区，位于所述半导体衬底中，所述第二源极和漏极区位于所述第二栅叠件的相对两侧，其中，所述第一高k介电层和所述第二高k介电层由相同的材料形成并且具有相同的厚度。