[发明专利]光调制器的制造方法以及光调制器无效
| 申请号： | 201310427136.6 | 申请日： | 2013-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN103682978A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 柴田公隆 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/026 | 分类号： | H01S5/026;H01S5/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 何欣亭;王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种光调制器的制造方法以及光调制器。是具备激光二极管部以及EAM部（20）的光调制器的制造方法。在半导体衬底（100）上设置作为用于制造激光二极管部的半导体层的LD生长层。在半导体衬底（100）上设置用于形成EAM部（20）的EAM吸收层（120）。测定EAM吸收层（120）的光致发光波长。蚀刻LD生长层而形成带构造部。以LD部（30）的振荡波长与EAM部（20）的光致发光波长之差接近设计值的方式设计带构造部的宽度。从而能够高精度地进行用于降低激光二极管部的振荡波长与电场吸收型调制部的光致发光波长的设计值的差异的调节。 | ||
| 搜索关键词： | 调制器 制造 方法 以及 | ||
【主权项】：
一种光调制器的制造方法，其中所述光调制器具备激光二极管部以及电场吸收型调制部，所述光调制器的制造方法的特征在于，具备：在半导体衬底上设置作为用于制造所述激光二极管部的半导体层的LD生长层的工序；在所述半导体衬底上设置用于形成所述电场吸收型调制部的电场吸收层的工序；测定所述电场吸收层的光致发光波长的测定工序；以及蚀刻所述LD生长层而形成带构造部的带形成工序，以所述激光二极管部的振荡波长与所述光致发光波长之差接近设计值的方式设计所述带构造部的宽度。
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