[发明专利]不需要感测放大器的半导体存储器有效
申请号: | 201310428142.3 | 申请日: | 2013-09-17 |
公开(公告)号: | CN104299635B | 公开(公告)日: | 2017-07-28 |
发明(设计)人: | 萧志成 | 申请(专利权)人: | 萧志成 |
主分类号: | G11C7/06 | 分类号: | G11C7/06 |
代理公司: | 北京汇泽知识产权代理有限公司11228 | 代理人: | 张瑾 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 一种不需要感测放大器的半导体存储器,包含多个讯号电极、多个控制电极、多个存储器元件、多个三态缓冲器,及一个电平调整单元。所述存储器元件呈阵列排列于所述讯号电极及所述控制电极间。所述三态缓冲器电连接于该讯号电极及所述存储器元件间,接收所述存储器元件所输出的读取数据并输出至该讯号电极,该电平调整单元用于将所述三态缓冲器的输入端的电压调整至一个预定电压。通过将所述存储器元件分割为较小单位的群体,每一个单位的寄生电容会大幅低于未分割前的总寄生电容,因此不需感测放大器即可正常运作,进而降低耗电量。 | ||
搜索关键词: | 不需要 放大器 半导体 存储器 | ||
【主权项】:
一种不需要感测放大器的半导体存储器,包含:一个讯号电极单元、一个控制电极单元,及多个存储器元件;该讯号电极单元包括多个间隔排列且互不电连接并用于传送一个读取数据及一个写入数据的讯号电极;该控制电极单元包括多个间隔排列且互不电连接并用于传送一个控制讯号的控制电极,所述控制电极与所述讯号电极相互交错且互不电连接;所述存储器元件呈阵列排列于所述讯号电极及所述控制电极间,并分别电连接于所述讯号电极及所述控制电极,且受该控制讯号控制以接收该写入数据或输出该读取数据;其特征在于:该不需要感测放大器的半导体存储器还包含:多个三态缓冲器及一个电平调整单元;所述三态缓冲器分别于所述讯号电极上,沿该讯号电极延伸方向间隔设置,每一个三态缓冲器电连接于其中一个讯号电极及沿该讯号电极排列的所述存储器元件间,且具有一个电连接多个存储器元件并接收所述存储器元件所输出的读取数据的输入端、一个电连接该讯号电极的输出端,及一个控制端,所述三态缓冲器受控制而于导通与不导通间切换;该电平调整单元电连接于所述三态缓冲器的输入端,用于将所述三态缓冲器的输入端的电压调整至一个预定电压。
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