[发明专利]一种OLED显示器件阵列基板及其制备方法

摘要

本发明提供一种OLED显示器件阵列基板制备方法，通过2次掩膜和3离子掺杂工艺实现沟道区域、源极区、漏极区、LDD区、以及电容器下极板等不同功能区的掺杂，制备步骤少、工艺简单；三次掺杂步骤均在间隔有栅极绝缘层的条件下实施，可以施加相同的加速电压，节省了工艺成本，提高了工艺的稳定性和器件的良品率；而且，加速电压相同，掺杂工艺完成后不需要进行快速热处理工艺，简化了工艺步骤；半导体层图案化之前，先进行了整个半导体层的掺杂工艺，形成TFT之后，增加了TFT沟道区域的载流子迁移率，赋予阈值电压（Vth）较小的漂移值，成功补偿了TFT的空间不均性和不稳定性，使得可以通过控制通入每个像素单元的电流大小准确控制像素的明暗程度（灰阶）。

主权项

一种OLED显示器件阵列基板制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、在包括TFT区域和电容区域的基板(1)上依次形成半导体层(3)和第一栅极绝缘层(41)；S2、在S1制得所述第一栅极绝缘层(41)远离所述基板(1)一侧的上方施加杂质对所述半导体层(3)进行第一次掺杂；S3、直接在所述第一栅极绝缘层(41)上形成第一半色调光致抗蚀剂层(51)；S4、以所述第一半色调光致抗蚀剂层(51)为第一道掩膜，将所述半导体层(3)和所述第一栅极绝缘层(41)图案化；S5、除去所述TFT区域中源极区和漏极区所对应的所述第一半色调光致抗蚀剂层(51)以及所述电容区域的所述第一半色调光致抗蚀剂层(51)，以形成第二半色调光致抗蚀剂层(52)；S6、在所述第二半色调光致抗蚀剂层(52)远离所述基板(1)一侧的上方施加杂质对所述半导体层(3)进行第二次掺杂，在所述半导体层(3)长度方向的两端形成杂质浓度较高的第二掺杂区域(32)，而所述半导体层(3)中仅进行所述第一次掺杂的区域为第一掺杂区域(31)；S7、除去所述第二半色调光致抗蚀剂层(52)，并在所述基板(1)上形成直接覆盖所述第一栅极绝缘层(41)和所述半导体层(3)的第二栅极绝缘层(42)；S8、直接在所述第二栅极绝缘层(42)上形成电极层，并覆盖所述电容区域，在所述TFT区域形成栅极(61)图案，所述栅极(61)的宽度大于或者小于所述第一掺杂区域(31)的宽度；S9、以所述栅极(61)图案为第二道掩膜，在所述栅极(61)远离所述基板(1)一侧的上方施加杂质对所述半导体层(3)进行第三次掺杂，在所述半导体层(3)长度方向的两端形成杂质浓度较高的第三掺杂区域(34)；S10、形成覆盖所述基板(1)、所述第二栅极绝缘层(42)、所述栅极(61)以及所述电容区域表面的层间绝缘层(7)，并在所述第一栅极绝缘层(41)、所述第二栅极绝缘层(42)、所述层间绝缘层(7)中形成源极电极(81)与漏极电极(82)，分别与所述源极区和所述漏极区成电性接触。