[发明专利]列选择多路复用器、方法和采用其的计算机存储器子系统无效
| 申请号： | 201310429672.X | 申请日： | 2013-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN103680601A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 安德烈亚斯·戈特巴;乔尔·德威特;马列克·斯莫兹纳 | 申请（专利权）人： | 辉达公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413;G06F13/16 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;谢栒 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了列选择多路复用器、方法和采用其的计算机存储器子系统。列选择多路复用器、从随机存取存储器读取数据的方法和涉及该多路复用器或该方法的存储器子系统。在一个实施例中，列选择多路复用器包括：（1）第一场效应晶体管，具有经由反相器耦连到静态随机存取存储器阵列的位线的栅极，（2）第二场效应晶体管，与第一场效应晶体管串行地耦连并具有耦连到静态随机存取存储器阵列的列选择总线的栅极，以及（3）锁存器，具有耦连到第一和第二场效应晶体管的输入。 | ||
| 搜索关键词： | 选择 多路复用 方法 采用 计算机 存储器 子系统 | ||
【主权项】：
一种列选择多路复用器，包括：第一场效应晶体管，具有经由反相器耦连到随机存取存储器阵列的位线的栅极；第二场效应晶体管，与所述第一场效应晶体管串行地耦连并具有耦连到所述随机存取存储器阵列的列选择总线的栅极；以及锁存器，具有耦连到所述第一和第二场效应晶体管的输入。
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