[发明专利]晶体管、包含晶体管的可变电阻存储器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201310446378.X | 申请日： | 2013-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN104009082A | 公开（公告）日： | 2014-08-27 |
| 发明（设计）人： | 朴南均 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L27/24;H01L45/00;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;毋二省 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种可变电阻存储器件，包括垂直晶体管，该垂直晶体管包括：有源柱体，有源柱体包括沟道区、形成于沟道区的一端的源极、以及形成于沟道区的另一端的轻掺杂漏极(LDD)区和漏极；第一栅电极，被形成为围绕轻掺杂漏极(LDD)区的外围，且具有第一功函数；以及第二栅电极，被形成为连接至第一栅电极并围绕沟道区，且具有高于第一功函数的第二功函数。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 包含 可变 电阻 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体管，包括：有源柱体，所述有源柱体包括沟道区、形成于所述沟道区的一端的源极、以及形成于所述沟道区的另一端的轻掺杂漏极区和漏极；第一栅电极，所述第一栅电极被形成为围绕所述轻掺杂漏极区的外围，且具有第一功函数；以及第二栅电极，所述第二栅电极被形成为连接至所述第一栅电极并围绕所述沟道区，且具有高于所述第一功函数的第二功函数。
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