[发明专利]半导体器件有效

专利信息
申请号: 201310447622.4 申请日: 2013-09-25
公开(公告)号: CN103678012A 公开(公告)日: 2014-03-26
发明(设计)人: 中村茂树;森信太郎;时冈良宜;富上健司 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: G06F11/00 分类号: G06F11/00
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的实施例提供一种具有可以可靠地检测电源电压减少的上电复位电路的半导体器件。在半导体器件上提供的上电复位电路包括:第一比较电路,其比较初级电压与参考电压;以及第二比较电路,其比较次级电压与参考值。上电复位电路基于第一比较电路和第二比较电路的比较结果发出复位信号。
搜索关键词: 半导体器件
【主权项】:
一种半导体器件,包括:电源电路,其基于外部电源电压生成内部电源电压;参考电压生成电路,其基于所述外部电源电压生成参考电压;内部电路,其通过所述内部电源电压操作;以及上电复位电路,其向所述内部电路输出复位信号,其中所述上电复位电路包括:第一比较电路,其生成第一比较信号;第二比较电路,其生成第二比较信号;以及输出电路,其接收所述第一比较信号和所述第二比较信号作为输入信号并且生成所述复位信号,其中所述第一比较电路在所述外部电源电压或者与所述外部电源电压成比例的电压超过所述参考电压时去激活所述第一比较信号,所述第二比较电路在所述内部电源电压或者与所述内部电源电压成比例的电压超过所述参考电压时去激活所述第二比较信号,所述输出电路在所述输入信号中的至少一个输入信号被激活时激活所述复位信号。
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