[发明专利]半导体存储电路有效
| 申请号： | 201310447687.9 | 申请日： | 2013-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN103700402A | 公开（公告）日： | 2014-04-02 |
| 发明（设计）人： | 津村和宏 | 申请（专利权）人： | 精工电子有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C16/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 何欣亭;王忠忠 |
| 地址： | 日本千叶*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供长期可靠性和读出特性优异的低消耗电流的半导体存储电路。本发明的半导体存储电路，将第一倒相器的输出连接至可电写入的第一非易失性存储器的源极，将第一非易失性存储器的漏极连接至第二倒相器的输入，将第二倒相器的输出连接至第二非易失性存储器的源极，将第二非易失性存储器的漏极连接至第一倒相器的输入，将第二非易失性存储器的漏极作为输出。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 电路 | ||
【主权项】：
一种半导体存储电路，将第一倒相器的输出连接至可电写入的第一非易失性存储器的源极，将所述第一非易失性存储器的漏极连接至第二倒相器的输入，将所述第二倒相器的输出连接至第二非易失性存储器的源极，将所述第二非易失性存储器的漏极连接至所述第一倒相器的输入，将所述第二非易失性存储器的所述漏极作为输出。
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