[发明专利]制造方法和半导体器件

摘要

用于铁电随机存取存储器的存储器单元的电容器的器件结构、制造方法以及设计结构。电容器可以包括：第一电极，由第一导体形成；铁电层，位于第一电极上；第二电极，位于铁电层上；以及盖层，位于第二电极的上表面上。第二电极可以由第二导体形成；盖层所具有的成分可以不含钛。可以通过蚀刻形成在第二导体的层上的材料层以限定硬掩模并然后改变材料在硬掩模中的保留部分以使保留部分在暴露于基于氯的反应离子蚀刻化学反应时具有比初始形成时相对较小的蚀刻速率来形成第二电极。

主权项

一种制造方法，包括：形成由导体形成的第一层；在所述第一层上形成第二层，所述第二层由具有第一蚀刻速率的材料形成；图案化所述第二层，使得所述第二层的部分保留在所述第一层上；改变所述第二层的所述部分的材料使得该材料在暴露于基于氯的反应离子蚀刻化学反应时具有小于所述第一蚀刻速率的第二蚀刻速率；以及在改变所述第二层的所述部分的材料之后，利用基于氯的反应离子蚀刻化学反应并利用所述第二层的所述部分中的改变的材料作为硬掩模来蚀刻所述第一层。