[发明专利]一种沟槽型DMOS单元及其制备方法和DMOS器件在审
| 申请号： | 201310451145.9 | 申请日： | 2013-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN104465754A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 赵圣哲 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 李姜 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽型DMOS单元及其制备方法和DMOS器件，主要内容包括：通过增大牺牲氧化层的厚度，使得在牺牲氧化层与刻蚀后的半导体层进行氧化反应时，可以将在刻蚀过程中对沟槽侧壁造成的损伤部位几乎完全氧化掉，从而，可以最大程度地减少沟槽损伤部位的存在，在一定程度上避免了源、漏极间的漏电，有效改善源、漏极间漏电敏感的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 dmos 单元 及其 制备 方法 器件 | ||
【主权项】：
一种沟槽型DMOS单元的制备方法，其特征在于，所述方法包括：对具有双沟槽的半导体层进行刻蚀；在刻蚀后的半导体层表面生长一层厚度为![]()
用于与半导体层表面进行氧化反应的牺牲氧化层；腐蚀所述牺牲氧化层后，在所述半导体层表面生成栅氧。
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