[发明专利]一种优化光学临近修正拟合结果的方法有效
| 申请号： | 201310451397.1 | 申请日： | 2013-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN104516206B | 公开（公告）日： | 2017-03-08 |
| 发明（设计）人： | 舒强;王铁柱 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F1/36 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 董巍,高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种优化光学临近修正拟合结果的方法，包括在光学临近修正过程中对晶圆版图进行模拟以及对晶圆版图进行实际制备，然后通过公式（I）计算模拟晶圆版图中图案特征的关键尺寸和实际晶圆版图中所述图案特征的关键尺寸的均方根值RMS，以监控和优化光学临近修正过程中的模拟结果；其中，所述Wi为所述图案特征关键尺寸的权重，CDi（模拟）为模拟晶圆版图中所述图案特征的关键尺寸的测量值，所述CDi（测量）为实际晶圆版图中所述图案特征的关键尺寸的测量值。本发明方法考虑到不同关键尺寸CD的大小对所述拟合误差的影响，以保证关键尺寸小的特征的模拟（simulation）结果更加接近物理晶圆上测量的真实结果，使OPC的最终结果更加准确和合理。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 优化 光学 临近 修正 拟合 结果 方法 | ||
【主权项】：
一种优化光学临近修正拟合结果的方法，包括：在光学临近修正过程中对晶圆版图进行模拟以及对晶圆版图进行实际制备，然后通过公式(I)计算模拟晶圆版图中图案特征的关键尺寸和实际晶圆版图中所述图案特征的关键尺寸的均方根值RMS，以监控和优化光学临近修正过程中的模拟结果；其中，所述Wi为所述图案特征关键尺寸的权重，CDi(模拟)为所述模拟晶圆版图中所述图案特征的关键尺寸的测量值，所述CDi(测量)为所述实际晶圆版图中所述图案特征的关键尺寸的测量值。
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