[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示装置有效
申请号: | 201310452517.X | 申请日: | 2013-09-27 |
公开(公告)号: | CN103489876A | 公开(公告)日: | 2014-01-01 |
发明(设计)人: | 孙双 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/84;H01L23/50;G02F1/1362;G02F1/1368 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明实施例提供了一种阵列基板及其制备方法、显示装置,涉及显示技术领域,可避免半色调掩模工艺的使用、简化工艺难度、节约成本。该制备方法包括通过一次构图工艺形成包括栅极的图案;在形成有包括栅极的图案的基板上形成栅绝缘层;通过一次构图工艺形成第一图案及其上方的第二图案;其中,第一图案与半导体有源层的图案对应,第二图案与源极和漏极对应;在形成有第二图案的基板上形成包括断开区域的图案层,断开区域与源极和漏极之间的间隙对应,其最小宽度大于源极和漏极之间的间隙的宽度,且至少将漏极露出;通过一次构图工艺至少形成包括源极和漏极的图案、以及通过断开区域与所述漏极电连接的像素电极。用于显示装置的制造。 | ||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制备 方法 显示装置 | ||
【主权项】:
一种阵列基板,其特征在于,包括薄膜晶体管、像素电极、以及设置在所述薄膜晶体管的源极和漏极与所述像素电极之间的图案层;其中,所述图案层包括断开区域,所述断开区域与所述源极和所述漏极之间的间隙对应;所述断开区域的最小宽度大于所述源极和所述漏极之间的间隙的宽度,且所述断开区域至少将所述薄膜晶体管的漏极露出;所述像素电极与被所述断开区域露出的所述漏极电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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