[发明专利]一种消除硅片粘接面线痕的方法在审

专利信息
申请号: 201310457564.3 申请日: 2013-09-30
公开(公告)号: CN103552162A 公开(公告)日: 2014-02-05
发明(设计)人: 马明涛;邵斌;王振国;郭立洲 申请(专利权)人: 洛阳鸿泰半导体有限公司
主分类号: B28D5/04 分类号: B28D5/04;B28D7/00
代理公司: 洛阳市凯旋专利事务所 41112 代理人: 陆君
地址: 471000 河南省洛阳市高新*** 国省代码: 河南;41
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摘要: 一种消除硅片粘接面线痕的方法,涉及多晶硅切割技术领域,由粘接垫板(1)、硅棒(4)、胶层(2)和刮胶工具(3)组成,通过改变胶层(2)的硬度,使钢线切割到胶层(2)时的切割条件变化最小,以此来达到消除硅棒(4)表面切割线痕的目的;本发明实用性强,操作起来比较方便,有效解决了钢线切割硅棒(4)时容易留下线痕的问题,极大方便了后续的加工和使用,满足了客户的要求。
搜索关键词: 一种 消除 硅片 粘接面线痕 方法
【主权项】:
一种消除硅片粘接面线痕的方法,包括粘接垫板(1)、硅棒(4)、胶层(2)和刮胶工具(3),其特征是:所述消除硅片粘接面线痕的方法的操作步骤如下:第一步,取10%的微粉,去除杂质后进行烘干(95℃/2小时)去除其中水分,再用800目的滤网过滤掉微粉中的大颗粒后备用;进一步,分别取40%的A胶和40%的B胶,然后放入调胶杯中快速搅拌均匀,搅拌均匀后再加入烘干后的微粉再进行搅拌,搅拌均匀后将硅棒(4)粘贴在粘接垫板(1)上,粘好后等胶固化7—10分钟后形成胶层(2),再利用刮胶工具(3)沿着粘接垫板(1)的侧面铲掉多余的胶即可。
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