[发明专利]一种集成无源器件中去耦合电容结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201310459994.9 | 申请日： | 2013-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN104517803A | 公开（公告）日： | 2015-04-15 |
| 发明（设计）人： | 刘煊杰;张海芳 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L23/64 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种集成无源器件中去耦合电容结构及其制备方法，所述方法包括提供半导体衬底，作为去耦合电容的下极板，所述半导体衬底中掺杂有离子；在所述半导体衬底上形成图案化的硬掩膜层，并蚀刻所述半导体衬底，以在所述半导体衬底中形成沟槽，以定义所述去耦合电容区；在所述沟槽内沉积介质层，作为所述去耦合电容的介质层；选用导电材料填充所述沟槽，作为所述去耦合电容的上极板；在所述上极板上形成接触孔，以电连接所述去耦合电容。本发明所述结构去耦电容可去除高频RF信号的干扰，实现去耦电容与IPD的片内集成，可进一步促进多功能无源器件的小型化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成 无源 器件 耦合 电容 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种集成无源器件中去耦合电容的制备方法，包括：提供半导体衬底，作为去耦合电容的下极板，所述半导体衬底中掺杂有离子；在所述半导体衬底上形成图案化的硬掩膜层，并蚀刻所述半导体衬底，以在所述半导体衬底中形成沟槽，以定义所述去耦合电容区；在所述沟槽内沉积介质层，作为所述去耦合电容的介质层；选用导电材料填充所述沟槽，作为所述去耦合电容的上极板；在所述上极板上形成接触孔，以电连接所述去耦合电容。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
