[发明专利]具微细导电柱的半导体元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310460491.3 | 申请日： | 2013-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN104517928B | 公开（公告）日： | 2018-08-24 |
| 发明（设计）人： | 蔡俊明;黄乙轩;钟月萍;吕雅惠 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种具微细导电柱的半导体元件及其制造方法。半导体元件包括：一基板，一导电图案形成于基板上，和至少具一预定高度的一导电柱形成于导电图案上。其中，导电柱可在具有一聚焦离子束(FIB)或一电子束的系统中形成。一实施例中，导电柱的径宽不超过10μm。 | ||
| 搜索关键词： | 微细 导电 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件，包括：基板；导电图案形成于该基板上；和具一预定高度的至少一导电柱形成于该导电图案上，其中该导电柱的一径宽不超过10μm，且该导电柱倾斜于该导电图案。
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