[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201310462189.1 | 申请日： | 2013-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN103715254B | 公开（公告）日： | 2018-10-12 |
| 发明（设计）人： | 三浦喜直 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/40;H01L29/872 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 通过使用化合物半导体层（沟道层CNL）形成晶体管SEL。沟道层CNL形成于缓冲层BUF之上。在其中布置晶体管SEL的漏极电极DRE、栅极电极GE和源极电极SOE的第一方向上，掩埋电极BE的至少一部分关于栅极电极GE被定位于与源极电极相对的侧上。掩埋电极BE连接到晶体管SEL的源极电极SOE。掩埋电极BE的顶端侵入到缓冲层BUF中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括衬底，具有基部层、形成于所述基部层之上的缓冲层以及形成于所述缓冲层之上的化合物半导体层，晶体管，具有形成于所述化合物半导体层中的沟道，并且具有漏极、栅极电极和源极，所述漏极、所述栅极电极和所述源极相对于彼此沿第一方向布置，以及掩埋电极，延伸穿过所述化合物半导体层的厚度，使得所述掩埋电极的端部突出到所述缓冲层中，所述掩埋电极的至少一部分在所述第一方向上布置在所述栅极电极的与所述源极相对的侧上，以及连接构件，电连接所述掩埋电极和所述源极，其中肖特基结形成在接触所述化合物半导体层的所述掩埋电极的横向侧壁处。
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