[发明专利]形成薄膜电阻器的方法

摘要

本发明公开了形成薄膜的方法。一种这样的方法可包括溅射靶材来形成第一薄膜电阻器和调整沉积参数以调节随后形成的第二薄膜电阻器的属性。例如，衬底偏压和/或衬底温度可被调整来调节所述第二薄膜电阻器的属性。所述第二薄膜电阻器的电阻温度系数（TCR）和/或另一属性可通过调整所述沉积参数而进行调节。溅射到所述衬底上的所述靶材可包括例如Cr合金、Ni合金、SiCr、NiCr等等。可在所述衬底偏压和/或衬底温度与所述薄膜电阻器属性之间建立关系，并且所述关系可用来选择所要属性值的沉积条件。

主权项

1.一种利用射频溅射系统形成薄膜电阻器的方法，所述方法包括：建立用于溅射的沉积参数，所述沉积参数至少包括射频衬底偏压；在向第一衬底施加具有建立的第一射频偏压电平的射频衬底偏压的同时，使用靶来溅射材料以在第一衬底上形成第一薄膜电阻器，所述溅射是非反应性射频溅射，所述第一薄膜电阻器具有第一电阻温度系数(TCR)；在溅射所述材料以形成所述第一薄膜电阻器后，调整所述射频衬底偏压以用于下次溅射，其中将所述射频衬底偏压调整为具有与所述第一射频偏压电平不同的第二射频偏压电平，以相对于第一薄膜电阻器的电阻温度系数调节第二薄膜电阻器的电阻温度系数；和在所述调整之后，在施加调整后的射频衬底偏压的同时，使用同一靶来非反应性地射频溅射基本上相同的材料来形成第二薄膜电阻器，所述第二薄膜电阻器相对于所述第一薄膜电阻器的第一电阻温度系数具有第二电阻温度系数；其中所述材料包括Cr合金或Ni合金中的至少一个，其中所述第一电阻温度系数和所述第二电阻温度系数均在从25ppm/℃到500ppm/℃的范围中。