[发明专利]一种TFT阵列基板及其制备方法和显示装置有效
| 申请号： | 201310465183.X | 申请日： | 2013-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN103928397B | 公开（公告）日： | 2017-10-13 |
| 发明（设计）人： | 翟应腾;吴勇 | 申请（专利权）人： | 上海天马微电子有限公司;天马微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 | 代理人： | 李姜 |
| 地址： | 201201 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种TFT阵列基板及其制备方法和显示装置，包括在基板之上形成数据线和阻挡层，在阻挡层之上形成介质层，利用一道光罩刻蚀介质层和阻挡层而形成阻挡层图形，在介质层之上形成像素电极，数据线和像素电极至少部分重叠。本发明通过仅利用一道光罩就完成了对阻挡层和介质层的刻蚀（图案化），可以达到以下至少一个效果节省一道光罩工艺，简化工艺流程，提高基板制备良率，减少寄生电容的干扰，增大开口率和降低功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 tft 阵列 及其 制备 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
一种TFT阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：在基板之上形成阻挡层；在基板和阻挡层之上形成数据线；在阻挡层和数据线之上形成介质层，刻蚀所述介质层，形成介质层图案，再通过刻蚀后的介质层图案和数据线的阻挡，干刻阻挡层形成阻挡层图形；在介质层之上形成像素电极，所述介质层位于所述像素电极和所述数据线之间。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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