[发明专利]一种集成电路芯片及其制造方法在审
| 申请号： | 201310472506.8 | 申请日： | 2013-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN104576646A | 公开（公告）日： | 2015-04-29 |
| 发明（设计）人： | 刘磊;龚轶;刘伟;尹海洲 | 申请（专利权）人： | 苏州东微半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/105 | 分类号： | H01L27/105;H01L21/8239 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人： | 陆明耀;陈忠辉 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种集成电路芯片及其制造方法，包括一个半导体衬底；在所述半导体衬底上形成的半浮栅存储器阵列和非易失性存储器阵列；用于连接所述半浮栅存储器阵列和所述非易失性存储器阵列的第一输入输出端和第二输入输出端。本发明将半浮栅存储器阵列和非易失性存储器阵列集成在同一芯片上，将半浮栅存储器阵列作为非易失性存储器阵列的缓存，可以加快非易失性存储器阵列的存储速度，实现大容量、高速度的程式和数据存储与操作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成电路 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种集成电路芯片，其特征在于，包括：一个半导体衬底；在所述半导体衬底上形成的半浮栅存储器阵列和非易失性存储器阵列；用于连接所述半浮栅存储器阵列和所述非易失性存储器阵列的第一输入输出端和第二输入输出端。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
