[发明专利]发光器件有效
| 申请号： | 201310484911.1 | 申请日： | 2013-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN103779469A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 李善均 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01S5/30 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;全万志 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了一种发光器件，该发光器件包括：具有多个凸部的衬底；在衬底上的第一半导体层；设置在第一半导体层的顶表面中的多个第一凹坑；设置在第一半导体层的顶表面中的多个第二凹坑；设置在第一凹坑中的第一金属化合物；设置在第二凹坑中的第二金属化合物；设置在第一半导体层上的第二半导体层；以及设置在第二半导体层上的发光结构。该发光结构包括第一导电半导体层、在第一导电半导体层上的有源层以及在有源层上的第二导电半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 器件 | ||
【主权项】：
一种发光器件，包括：衬底，所述衬底包括多个凸部；第一半导体层，所述第一半导体层设置在所述衬底的顶表面上；多个第一凹坑，所述多个第一凹坑设置在所述第一半导体层的顶表面中并且与所述凸部重叠；多个第二凹坑，所述多个第二凹坑设置在所述第一半导体层的所述顶表面中并且设置在所述凸部之间的区域中；第一金属化合物，所述第一金属化合物设置在所述第一凹坑中并且与所述凸部的上部接触；第二金属化合物，所述第二金属化合物设置在所述第二凹坑中；第二半导体层，所述第二半导体层设置在所述第一半导体层上；以及发光结构，所述发光结构设置在所述第二半导体层上，其中所述发光结构包括在所述第二半导体层上的第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层上的有源层、以及在所述有源层上的第二导电半导体层。
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