[发明专利]晶片与晶片之间的对准方法在审
| 申请号： | 201310485802.1 | 申请日： | 2013-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN104576482A | 公开（公告）日： | 2015-04-29 |
| 发明（设计）人： | 孟鸿林;王雷 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/68 | 分类号： | H01L21/68;H01L23/544;B81C3/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶片与晶片之间的对准方法，步骤包括：1）在第一层晶片上淀积薄氧化层；2）在第一层晶片上形成对准标记，去除薄氧化层；3）在第一层晶片上淀积高反射率材料，填满对准标记的沟槽；4）反向刻蚀，去除第一层晶片表面的高反射率材料，只保留对准标记沟槽内的高反射率材料；5）在第一层晶片上生长热氧化层；6）在第一层晶片上形成后续所需的集成电路图形；7）第二层晶片和第一层晶片键合；8）光刻机红外线检测第一层晶片上的对准标记，通过光刻在第二层晶片上形成后续所需的集成电路图形。本发明通过在第一层晶片的光刻对准标记沟槽内填入反射率比硅强的材料，降低了上下两层晶片光刻对准的难度，并提高了对准的精度。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 之间 对准 方法 | ||
【主权项】：
晶片与晶片之间的对准方法，步骤包括：1）在第一层晶片上淀积一层薄氧化层；2）在第一层晶片上形成对准标记，然后去除薄氧化层；3）在第一层晶片上淀积高反射率材料，填满对准标记的沟槽；所述高反射率材料的反射率大于硅的反射率；4）反向刻蚀，去除第一层晶片表面的高反射率材料，只保留对准标记沟槽内的高反射率材料；5）在第一层晶片上生长一层热氧化层；6）在第一层晶片上形成后续所需的集成电路图形；7）将第二层晶片和第一层晶片键合；8）开启光刻机，用红外线检测第一层晶片上的对准标记，通过光刻在第二层晶片上形成后续所需的集成电路图形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
