[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示装置在审
| 申请号： | 201310488039.8 | 申请日： | 2013-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN103499905A | 公开（公告）日： | 2014-01-08 |
| 发明（设计）人： | 唐磊;任健;李鑫;张莹;裴扬;王振伟 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/12;H01L21/84;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种阵列基板及其制造方法，以及设有该阵列基板的显示装置，属于显示技术领域。解决了现有的ADSDS型液晶显示器的存储电容较小，不利于画面的保持，导致显示效果较差的技术问题。该阵列基板，包括从下至上依次形成于衬底基板上的栅极金属层、栅绝缘层、有源层、源漏金属层、保护层，以及位于所述保护层上的像素电极和公共电极；所述保护层上开设有过孔，所述像素电极通过所述过孔与位于所述源漏金属层的漏极连接；所述漏极与所述公共电极在衬底基板的投影至少部分重叠。本发明可应用于液晶面板、液晶电视、液晶显示器、数码相框、手机、平板电脑等显示装置。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 及其 制造 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
一种阵列基板，其特征在于：包括衬底基板以及依次形成于衬底基板上的栅极金属层、栅绝缘层、有源层、源漏金属层、保护层，以及形成于所述保护层上的像素电极和公共电极；所述保护层上开设有过孔，所述像素电极通过所述过孔与位于所述源漏金属层中的漏极连接；所述漏极与所述公共电极在衬底基板的投影至少部分重叠。
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