[发明专利]薄膜型气敏元件的制备方法无效
| 申请号： | 201310488778.7 | 申请日： | 2013-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN103529080A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 张磊;焦万丽 | 申请（专利权）人： | 山东理工大学 |
| 主分类号： | G01N27/00 | 分类号： | G01N27/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 255086 山东省淄博市*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种薄膜型气敏元件的制备方法，其步骤是：（1）按照NiFe2O4的化学计量比，配制硝酸铁和硝酸镍的混合溶液；（2）采用浓氨水为沉淀剂，将Fe3+和Ni2+完全沉淀；（3）将混合液移入反应釜，在220℃下保温6-10小时，生成NiFe2O4纳米粉体；（4）将所得粉体用去离子水洗涤至中性，加入适量PAA，70℃下搅拌1小时，生成NiFe2O4/PAA磁性纳米复合粉体；（5）将磁性纳米复合粉体制成悬浮液，滴在叉指电极基片上，在交变磁场的作用下干燥；（6）将干燥后的叉指电极放入电阻炉内，先200℃保温一小时，再在400-600℃下保温一小时；（7）反复进行步骤（5）和步骤（6）4-10次，得到大孔隙结构的薄膜型气敏元件。本发明利用交变磁场，得到低温高灵敏度的大孔隙薄膜气敏元件。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 型气敏 元件 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜型气敏元件的制备方法，其特征在于采用以下步骤：（1）按照NiFe2O4的化学计量比，配制硝酸铁和硝酸镍的混合溶液；（2）采用浓氨水为沉淀剂，逐滴加入到混合溶液中，直至混合溶液pH值为11‑12，将Fe3+和Ni2+完全沉淀；（3）将混合溶液移入聚四氟乙烯内衬反应釜，在220℃下保温6‑10小时，生成NiFe2O4纳米粉体；（4）将所得粉体用1M盐酸浸泡后，再加热去除HCl；然后用去离子水洗涤剩余物至中性，再加入步骤（3）获得的NiFe2O4纳米粉体质量10‑40%的PAA，70℃下搅拌1小时，生成NiFe2O4/PAA磁性纳米复合粉体，再用用无水乙醇清洗2‑3次；（5）将清洗后的磁性纳米复合粉体制成质量浓度不大于1%的悬浮液，滴在叉指电极基片上，在磁感应强度为0.05‑0.2T的交变磁场的作用下干燥；（6）将干燥后的叉指电极放入电阻炉内，先200℃保温一小时，再在400‑600℃下保温一小时；（7）反复进行步骤（5）和步骤（6）4‑10次，得到大孔隙结构的薄膜型气敏元件。
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