[发明专利]一种激光切割硅片的方法无效

专利信息
申请号: 201310489125.0 申请日: 2013-10-18
公开(公告)号: CN103586587A 公开(公告)日: 2014-02-19
发明(设计)人: 乔金彪 申请(专利权)人: 苏州斯尔特微电子有限公司
主分类号: B23K26/38 分类号: B23K26/38;B23K26/142;B23K26/146;B23K26/60;B23K26/70
代理公司: 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 代理人: 董建林
地址: 215153 江苏省苏州*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种激光切割硅片的方法,其特征在于,包括以下步骤:S1:将硅片贴在蓝膜上;S2:贴片后进行烘烤加强蓝膜和硅片的牢固度,制得待切割工件;S3:将待切割工件固定在硅片激光切割机上进行切割,同时切割刀旁边的喷嘴向切割点区域喷射冷却水和工业清洗剂,制得干净的硅片。防止切割过程中硅片和蓝膜的脱落,加强润滑度,提供最佳冷却效果,清除切割时产生的颗粒残留、硅粉,制得干净的硅片,后续步骤中无需对硅片进行清理操作,提高了工作效率。
搜索关键词: 一种 激光 切割 硅片 方法
【主权项】:
一种激光切割硅片的方法,其特征在于,包括以下步骤:S1:将硅片贴在蓝膜上;S2:贴片后进行烘烤加强蓝膜和硅片的牢固度,制得待切割工件;S3:将待切割工件固定在硅片激光切割机上进行切割,同时切割刀旁边的喷嘴向切割点区域喷射冷却水和工业清洗剂,制得干净的硅片。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州斯尔特微电子有限公司,未经苏州斯尔特微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310489125.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top