[发明专利]NAND闪速存储器中的分级共同电源线结构无效
| 申请号： | 201310491463.8 | 申请日： | 2008-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN103606382A | 公开（公告）日： | 2014-02-26 |
| 发明（设计）人： | 潘弘柏;金镇祺 | 申请（专利权）人： | 莫塞德技术公司 |
| 主分类号： | G11C16/12 | 分类号： | G11C16/12;G11C16/30 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 王勇 |
| 地址： | 加拿大*** | 国省代码： | 加拿大;CA |
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| 摘要： | 一般的NAND闪速单元块中的每个存储器单元串连接到共同电源线（CSL）。要施加到CSL上的值集中产生并将其分布到对应于每个NAND闪速单元块的本地开关逻辑单元。对于电源线页面编程，分布线可称为全局共同电源线（GCSL）。NAND闪速单元块的阵列中，一次只选择一个NAND闪速单元块进行编程。为了降低功耗，只有所选NAND闪速单元块接收CSL线上的值，该值指示GCSL上的值。此外，可通过激活的到地连接禁用未选NAND闪速单元块的CSL。 | ||
| 搜索关键词： | nand 存储器 中的 分级 共同 电源线 结构 | ||
【主权项】：
一种NAND闪速存储器装置，包括：NAND闪速单元块，其包括连接到本地共同电源线的多个NAND闪速存储器串，以及本地开关逻辑，其包括：第一半导体开关，用于选择性地允许在全局共同电源线上接收的信号传输到所述本地共同电源线上的所述单元块；以及第二半导体开关，用于选择性地将预定电压施加到所述本地共同电源线。
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