[发明专利]嵌入式锗硅工艺中静态随机存储器及写入冗余度改善方法

摘要

一种嵌入式锗硅工艺中静态随机存储器，包括：硅基衬底；NMOS器件；PMOS器件，PMOS器件之栅极设置在硅基衬底上，PMOS器件之源极区、漏极区分别设置在栅极两侧之硅基衬底内，且在源极区和漏极区中设置嵌入式锗硅；上拉晶体管，为PMOS半导体，上拉晶体管之栅极设置在硅基衬底上，上拉晶体管之源极区、漏极区分别设置在栅极两侧之硅基衬底内。本发明通过在PMOS器件的源极区、漏极区中设置内嵌式锗硅，增加所述PMOS器件沟道中的压应力，从而提高空穴迁移率；通过在上拉晶体管之源极区、漏极区内不设置内嵌式锗硅，使得上拉晶体管在沟道方向上的压应力减小，降低载流子迁移率，增大上拉晶体管等效电阻，进而提高了所述静态随机存储器写入冗余度。

主权项

一种嵌入式锗硅工艺中静态随机存储器，其特征在于，所述嵌入式锗硅工艺中静态随机存储器包括：硅基衬底，并在所述硅基衬底内间隔设置用于电气隔离的浅沟槽隔离；NMOS器件，设置在所述浅沟槽隔离之间，所述NMOS器件之栅极设置在所述硅基衬底上，所述NMOS器件之源极区、漏极区分别设置在所述栅极两侧之硅基衬底内；PMOS器件，设置在所述浅沟槽隔离之间，所述PMOS器件之栅极设置在所述硅基衬底上，所述PMOS器件之源极区、漏极区分别设置在所述栅极两侧之硅基衬底内，且在所述PMOS器件之源极区和漏极区中设置嵌入式锗硅；上拉晶体管，所述上拉晶体管为PMOS半导体，并设置在所述浅沟槽隔离之间，所述上拉晶体管之栅极设置在所述硅基衬底上，所述上拉晶体管之源极区、漏极区分别设置在所述栅极两侧之硅基衬底内。