[发明专利]OLED背板及其制作方法有效
| 申请号： | 201310492625.X | 申请日： | 2013-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN103500731A | 公开（公告）日： | 2014-01-08 |
| 发明（设计）人： | 姜春生;方婧斐;刘威 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L51/56;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种OLED背板及其制作方法，涉及显示技术领域，使OLED背板的制作更加简单。该OLED背板的制作方法，包括：在基板上形成包括TFT的图形；在包括所述TFT图形的基板上形成钝化层；在包括所述钝化层的基板上形成彩膜；在包括所述彩膜的基板上形成树脂层；在包括所述树脂层的基板上对每个子像素中第一区域的树脂层进行重掺杂，使所述第一区域中的树脂层具有导电性，所述第一区域包括钝化层过孔区域、像素电极区域以及所述钝化层过孔区域和像素电极区域之间的连通区域，所述钝化层过孔区域为所述TFT的漏极所在位置；在包括所述对第一区域的树脂层进行重掺杂后的基板上依次形成有机发光层和阴极。 | ||
| 搜索关键词： | oled 背板 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种OLED背板的制作方法，其特征在于，包括：在基板上形成包括TFT的图形；在包括所述TFT图形的基板上形成钝化层；在包括所述钝化层的基板上形成彩膜；在包括所述彩膜的基板上形成树脂层；在包括所述树脂层的基板上对每个子像素中第一区域的树脂层进行重掺杂，使所述第一区域中的树脂层具有导电性，所述第一区域包括钝化层过孔区域、像素电极区域以及所述钝化层过孔区域和像素电极区域之间的连通区域，所述钝化层过孔区域为所述TFT的漏极所在位置；在包括所述对第一区域的树脂层进行重掺杂后的基板上依次形成有机发光层和阴极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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