[发明专利]一种根据写数据改变电源供电的亚阈值存储单元

摘要

本发明属于集成电路存储器设计技术领域，具体为一种根据写数据改变电源供电的亚阈值存储单元。其单元结构包括一对虚拟电源供电的交叉耦合反相器，一个由写位线控制的虚拟电源供电晶体管，三个负责写操作的写晶体管，及一对堆叠的读晶体管。当存储单元进行写“0”操作时，单元的电源由VDD提供，数据通过单端的写操作方式进行写入；当存储单元进行写“1”操作时，单元的供电被截断，数据通过双端的写操作方式进行写入。当存储阵列进行读操作时，单元存储的数据通过堆叠的读晶体管读出到位线上。本发明具有较高的读、写稳定性，及在亚阈值电压下工作的能力。

主权项

 一种根据写数据改变电源供电的亚阈值存储单元，其特征在于包括：一对虚拟电源供电的交叉耦合反相器构成存储单元的存储核心；其中，两首尾相连的一对反相器的电源线VDD与虚拟电源结点相连，第一反相器的输出和输入或第二反相器2的输入和输出为存储单元的两个存储结点；一个为虚拟电源供电的PMOS管，其栅极与写位线相连，源极与电源线VDD相连，漏极与虚拟电源结点相接；三个负载写操作的写晶体管NMOS管；其中，第一写晶体管的漏极与第一反相器的输出相连，源极与写位线相连，栅极与写字线相接；第二写晶体管的漏极与第一反相器的输入相连，源极与第三写晶体管的漏极相连，栅极同样与写字线相接；第三反相器的漏极与第二反相器的源极相连，源极接地，栅极由写位线控制； 一对堆叠的读晶体管NMOS管；其中，第一读晶体管的漏极与读位线相连，源极与第二读晶体管的漏极相连，栅极由读字线控制；第二读晶体管的漏极与第一读晶体管的源极相连，源极接地，栅极与其中一个存储结点相接。