[发明专利]半导体封装结构与其制造方法有效
| 申请号： | 201310499364.4 | 申请日： | 2013-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN104576620A | 公开（公告）日： | 2015-04-29 |
| 发明（设计）人： | 李志成;苏洹漳;田兴国 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/00 | 分类号： | H01L25/00;H01L23/13;H01L21/50 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆勍 |
| 地址： | 中国台湾高雄市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体封装结构，包括一第一基板、一第二基板、一第一电子元件、一第二电子元件、一绝缘材料以及一布线结构。第一基板具有至少一第一贯孔与一第一上表面。第二基板具有一第二上表面，第二基板配置于第一基板之下。第一电子元件配置于至少一第一贯孔内。第二电子元件配置于第一上表面，且第二电子元件的厚度小于第一电子元件的厚度。绝缘材料配置于第一上表面上且环绕第一电子元件与第二电子元件。布线结构配置于绝缘材料上，其中布线结构包括一图案化导电层，且图案化导电层电性连接第一电子元件与第二电子元件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 结构 与其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体封装结构，其特征在于，包括：一第一基板，具有至少一第一贯孔与一第一上表面；一第二基板，具有一第二上表面，该第二基板配置于该第一基板之下；一第一电子元件，配置于该至少一第一贯孔内；一第二电子元件，配置于该第一上表面，且该第二电子元件的厚度小于该第一电子元件的厚度；一绝缘材料，配置于该第一上表面上且环绕该第一电子元件与该第二电子元件；以及一布线结构，配置于该绝缘材料上，其中该布线结构包括一图案化导电层，且该图案化导电层电性连接该第一电子元件与该第二电子元件。
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