[发明专利]定向自组装制程/邻近校正的方法有效
| 申请号： | 201310503201.9 | 申请日： | 2013-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN103779189A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | A·拉特波夫 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/16 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 本发明涉及定向自组装制程/邻近校正的方法，在实施例中，一种集成电路的制造方法包含设计光学掩模以形成在半导体基板上光阻层中的预图案(pre-pattern)开口，其中，该光阻层与该预图案开口涂布有经过定向自组装(DSA)的自组装材料以形成DSA图案。设计该光学掩模的步骤包含：使用运算系统、输入DSA标的图案、以及使用该运算系统应用DSA模型以产生第一DSA定向图案。更进一步地，设计该光学掩模的步骤包含：使用运算系统、计算该DSA标的图案与该DSA定向图案间的留数、以及使用该运算系统应用DSA模型于该第一DSA定向图案与该留数以产生第二、更新的DSA定向图案。 | ||
| 搜索关键词： | 定向 组装 邻近 校正 方法 | ||
【主权项】：
一种制造集成电路的方法，包括：设计光学掩模以形成在半导体基板上光阻层中的预图案开口，其中，该光阻层与该预图案开口涂布有经过定向自组装(DSA)的自组装材料以形成DSA图案，且其中，设计该光学掩模的步骤包含：使用运算系统，输入DSA标的图案；使用该运算系统，应用DSA模型于该DSA标的图案，以产生第一DSA定向图案；使用该运算系统，计算该DSA标的图案与该DSA定向图案间的留数；以及使用该运算系统，应用该DSA模型于该第一DSA定向图案与该留数，以产生第二、更新的DSA定向图案。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
