[发明专利]半导体发光器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310513215.9 | 申请日： | 2013-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN103794686B | 公开（公告）日： | 2018-08-24 |
| 发明（设计）人： | 金台勋;金成埈;金容一;柳荣浩;孙明洛;李守烈;李承桓;张泰盛;皇甫秀珉 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/10;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 陈源;张帆 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了半导体发光器件及其制造方法，其中的一种制造半导体发光器件的方法包括在半导体单晶生长衬底上形成隔离图案。在半导体单晶生长衬底上由隔离图案限定的一个芯片单元区域中顺序生长第一导电型半导体层、有源层、和第二导电型半导体层，并且形成反射金属层以覆盖发光结构和隔离图案。在反射金属层上形成支撑衬底，并且从发光结构上去除半导体单晶生长衬底。然后将支撑衬底切割为单独的发光器件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体发光器件的方法，所述方法包括：在半导体单晶生长衬底上形成隔离图案，所述隔离图案在所述半导体单晶生长衬底上限定了布置在所述隔离图案的多个部分之间的多个芯片单元区域，并且所述隔离图案被形成为相对于所述半导体单晶生长衬底的表面非直角倾斜；在所述半导体单晶生长衬底上的由所述隔离图案限定的芯片单元区域中顺序地生长第一导电型半导体层、有源层、和第二导电型半导体层，从而形成发光结构，该发光结构的高度低于所述隔离图案的高度；形成反射金属层，以覆盖所述发光结构和所述隔离图案；在所述反射金属层上形成支撑衬底；从所述发光结构上去除所述半导体单晶生长衬底；以及将所述支撑衬底切割为单独的发光器件。
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