[发明专利]形成半导体器件的双镶嵌结构的方法以及由其制造的半导体器件

摘要

本发明公开了形成半导体器件的双镶嵌结构的方法以及由其制造的半导体器件。该方法包括：（a）在衬底上形成第一和第二绝缘层；（b）形成具有在第二绝缘层上形成通孔的图案的抗蚀剂掩模；（c）形成向下至第一绝缘层下端的通孔；（d）以旋涂法在通孔中和第二绝缘层上形成硬掩模层；（e）形成具有在硬掩模层上形成槽孔的图案的抗蚀剂掩模；（f）形成通过抗蚀剂掩模向下深入到第二绝缘层下端的第一槽孔；（g）去除通孔中和第二绝缘层上的硬掩模层的一部分；（h）通过去除通孔的顶角和第一槽孔的底角之间的第二绝缘层的一部分形成第二槽孔；（i）去除保留在通孔中和第二绝缘层上的硬掩模层；（j）通过用导电材料填充通孔和第二槽孔形成上部导线。

主权项

一种形成半导体器件的双镶嵌结构的方法，包括：（a）在衬底上依次形成第一绝缘层和第二绝缘层；（b）形成具有用于在所述第二绝缘层上形成通孔的图案的抗蚀剂掩模；（c）形成向下至所述第一绝缘层下端的通孔；（d）以旋转涂布法在所述通孔中和所述第二绝缘层上形成硬掩模层；（e）形成具有用于在所述硬掩模层上形成槽孔的图案的抗蚀剂掩模；（f）形成通过所述抗蚀剂掩模向下深入到所述第二绝缘层下端的第一槽孔；（g）分别去除所述通孔中和所述第二绝缘层上的所述硬掩模层的一部分；（h）通过去除在所述通孔的顶角，即通孔顶角，和所述第一槽孔的底角，即槽孔底角，之间的所述第二绝缘层的一部分来形成第二槽孔；（i）去除保留在所述通孔中和所述第二绝缘层上的所述硬掩模层；以及（j）通过用导电材料填充所述通孔和所述第二槽孔来形成上部导线。