[发明专利]碳化硅肖特基结型核电池无效
| 申请号： | 201310516945.4 | 申请日： | 2013-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN103730184A | 公开（公告）日： | 2014-04-16 |
| 发明（设计）人： | 梅欣 | 申请（专利权）人： | 溧阳市浙大产学研服务中心有限公司 |
| 主分类号： | G21H1/06 | 分类号： | G21H1/06 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人： | 黄明哲 |
| 地址： | 213300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳化硅肖特基结型核电池，其自下而上依次包括n型欧姆接触电极8、n型SiC衬底7、n型SiC外延层6、SiO2钝化层5、肖特基金属接触层4、肖特基接触电极3、键合层2和放射性同位素源层1，其中，n型SiC衬底7的掺杂浓度为1×1018～7×1018cm-3，n型SiC外延层6是通过注入能量为2000KeV～2500KeV，剂量为5×1013～1×1015cm-2的铌离子形成掺杂浓度为1×1013～5×1014cm-3。其外延层的载流子浓度低，耗尽区宽度大，产生的电子空穴对的收集率高，进而器件的开路电压和能量转换效率高。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 肖特基结型 核电 | ||
【主权项】：
一种碳化硅肖特基结型核电池，自下而上依次包括n型欧姆接触电极(8)、n型SiC衬底(7)、n型SiC外延层(6)、SiO2钝化层(5)、肖特基金属接触层(4)、肖特基接触电极(3)、键合层(2)和放射性同位素源层(1)，其特征在于：n型SiC衬底(7)的掺杂浓度为1×1018～7×1018cm‑3，n型SiC外延层(6)的掺杂浓度为1×1013～5×1014cm‑3，且通过注入能量为2000KeV～2500KeV，剂量为5×1013～1×1015cm‑2的铌离子形成。
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