[发明专利]高迁移率低源漏电阻的三栅控制型无结晶体管

摘要

本发明涉及一种高迁移率低源漏电阻的三栅控制型无结晶体管，采用源控栅电极、沟道控栅电极和漏控栅电极等三个彼此独立控制的栅电极，使得器件既能够保证在低掺杂浓度的沟道内实现高迁移率，避免高掺杂浓度随机散射增强效应所导致的器件稳定性下降，同时又可以通过源控栅电极和漏控栅电极的独立控制作用获得较低的源漏电阻，从而有效解决了普通无结晶体管沟道掺杂浓度过低会带来源漏电阻的增加，而掺杂浓度过高又会导致器件迁移率和稳定性下降这二者之间的矛盾，适用于推广应用。

主权项

一种高迁移率低源漏电阻的三栅控制型无结晶体管，包括SOI晶圆的硅衬底（10），SOI晶圆的硅衬底（10）上方为SOI晶圆的绝缘层（9）；其特征在于：SOI晶圆的绝缘层（9）上方为单晶硅薄膜（8），单晶硅薄膜（8）上方为栅极绝缘层（7），相邻的单晶硅薄膜（8）之间通过绝缘介质层（6）隔离；每个单晶硅薄膜（8）中部上方的栅极绝缘层（7）上方依次设有源控栅电极（2）、沟道控栅电极（3）、漏控栅电极（4），栅极绝缘层（7）的上方设有将源控栅电极（2）、沟道控栅电极（3）和漏控栅电极（4）彼此隔离的绝缘介质层（6）；通过刻蚀工艺刻蚀掉每个单晶硅薄膜（8）两端上方位置对应的栅极绝缘层（7）和绝缘介质层（6），并在刻蚀后形成的通孔中注入金属分别生成源电极（1）和漏电极（5）；上述晶体管为N型时，源控栅电极（2）和漏控栅电极（4）在器件工作时保持恒定高电位。