[发明专利]一种横向功率器件漂移区的制造方法

摘要

本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种横向功率器件漂移区的制造方法。本发明所述的制造方法主要步骤为：在漂移区1上生长一层外延层，进行N型杂质和P型杂质注入，重复步骤a多次；通过退火处理，形成N型掺杂条22和P型掺杂条21；在N型掺杂条22和P型掺杂条21之间刻蚀介质槽3；对介质槽3进行介质填充；平坦化去除多余的介质。本发明的有益效果为，有利地弥补了传统掺杂和注入无法形成一定深度的PN掺杂条的不足，同时制造过程中可以通过控制介质槽的深宽比、漂移区长度和N（P）型条的掺杂剂量，以及漂移区的浓度来控制器件的耐压。本发明尤其适用于横向功率器件漂移区的制造。

主权项

一种横向功率器件漂移区的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：a.在漂移区（1）上生长一层外延层，进行N型杂质和P型杂质注入，重复步骤a多次后进入步骤b；b.通过退火处理，形成N型掺杂条（22）和P型掺杂条（21）；c.在N型掺杂条（22）和P型掺杂条（21）之间刻蚀介质槽（3）；d.对介质槽（3）进行介质填充；e.平坦化去除多余的介质。