[发明专利]多电压域的高压侧电路及半导体结构、电平移位电路

摘要

本发明公开了一种多电压域的高压侧电路及半导体结构、电平移位电路，多电压域的高压侧电路中，n个PMOS场效应晶体管均连接同一个高电压，n个NMOS场效应晶体管分别连接第一次高电压～第n次高电压，PMOS场效应晶体管和NMOS场效应晶体管耦合。取该高电压和第一次高电压～第n次高电压之间的差值，即可得到n个电压域。由于采用本发明提供的多电压域的高压侧电路制作的半导体结构只需同一个高电压，只需制作一个N阱，进而只需在N阱四周形成一个N阱隔离层，避免了现有的制作多个N阱和多个N阱隔离层的情况，减小了半导体结构的面积。本发明提供的电平移位电路，采用同一高电压与三个次高电压之间的差值实现多电压域，满足现代集成芯片小型化的要求。

主权项

一种多电压域的高压侧电路，其特征在于，包括：n个PMOS场效应晶体管，所述n个PMOS场效应晶体管均连接同一个高电压，所述n至少为2；n个NMOS场效应晶体管，所述n个NMOS场效应晶体管分别连接第一次高电压～第n次高电压；所述n个PMOS场效应晶体管与所述n个NMOS场效应晶体管一一对应耦合，所述第一次高电压～第n次高电压均不小于零，且所述第一次高电压～第n次高电压均小于所述高电压。