[发明专利]一种制备ZnO纳米锥阵列的低温液相生长方法有效
| 申请号： | 201310535080.6 | 申请日： | 2013-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN103603040A | 公开（公告）日： | 2014-02-26 |
| 发明（设计）人： | 余新泉;夏咏梅;吴春晓;章雯;张友法;陈锋 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | C30B29/16 | 分类号： | C30B29/16;C30B19/00;C30B29/62 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 冯慧 |
| 地址： | 211189 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制备ZnO纳米锥阵列的低温液相生长方法，在生长液中基底生长面采取向下悬空放置；直接将清洗干净的基底生长面向下悬浮于生长溶液中水浴生长得到ZnO纳米锥阵列；阵列生长溶液为KOH和Zn(NO3)2配制的Zn(OH)42-水溶液。其特点是：无需晶种层，也无需任何外加场、模板和辅助剂；基底不需要含锌。该方法具有设备及工艺简单、操作易、能耗低、环境友好、过程安全、成本低廉、产品性能稳定、与基底结合牢固和适合工业化生产等优点。本发明制备出的ZnO纳米锥阵列，在超疏水表面、探测器、压电变频器、紫外激光和太阳能电池等方面有广阔的应用前景和巨大的市场效益。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 zno 纳米 阵列 低温 相生 方法 | ||
【主权项】：
一种制备ZnO纳米锥阵列的低温液相生长方法，在生长液中基底生长面采取向下悬空放置；其特征在于：直接将清洗干净的基底生长面向下悬浮于生长溶液中水浴生长得到ZnO纳米锥阵列；阵列生长溶液为KOH和Zn(NO3)2配制的Zn(OH)42‑水溶液。
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