[发明专利]监控生产工艺的方法及生产工艺监控装置有效
| 申请号： | 201310537592.6 | 申请日： | 2013-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN103972123B | 公开（公告）日： | 2018-03-27 |
| 发明（设计）人： | 丁荣载 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司11286 | 代理人： | 薛义丹,刘灿强 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了监控生产工艺的方法及生产工艺监控装置。一种监控生产工艺的方法包括通过使用测量装置分析等离子体发射光的发射强度来产生测量数据，当生产工艺装置中的等离子体气体从对应于高能态的能级变成对应于低能态的能级时产生所述等离子体发射光；基于测量数据产生补偿值，所述补偿值通过抵消由于生产工艺装置和测量装置的污染或测量装置的测量位置导致的灵敏度的变化而产生；基于补偿值监控生产工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 监控 生产工艺 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种监控生产工艺的方法，所述方法包括：通过使用测量装置分析等离子体发射光的发射强度来产生测量数据，当生产工艺装置中的等离子体气体由对应于高能态的能级变成对应于低能态的能级时产生所述等离子体发射光；基于测量数据产生补偿值，所述补偿值通过抵消由于生产工艺装置和测量装置的污染或测量装置的测量位置导致的灵敏度的变化而产生；基于补偿值监控生产工艺，其中，将补偿值确定为归一化值，所述归一化值通过基于等离子体发射光关于预设波段或整个波段的发射强度的平均值和标准偏差将等离子体发射光的发射强度归一化而产生。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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