[发明专利]加热硅料的坩埚无效
| 申请号： | 201310543197.9 | 申请日： | 2013-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN103556232A | 公开（公告）日： | 2014-02-05 |
| 发明（设计）人： | 刘耀峰;潘振东 | 申请（专利权）人： | 无锡荣能半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B35/00 | 分类号： | C30B35/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京中恒高博知识产权代理有限公司 11249 | 代理人： | 高玉滨 |
| 地址： | 214183 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种加热硅料的坩埚，包括坩埚体和护套，该护套设在该坩埚体的上边缘处。在传统坩埚上边缘增加了一个保护套，片状硅料的投入量会相比之前加大，融化之后，也会达到坩埚的允许最大刻度线。投料量增加-投料量相对加大25%；硅锭质量提高-可提高3%以上；降低能耗-相对单公斤硅料耗电量下降25%；少子寿命-红边区减少，整体少子寿命提高。 | ||
| 搜索关键词： | 加热 坩埚 | ||
【主权项】：
一种加热硅料的坩埚，其特征在于：包括坩埚体和护套，该护套设在该坩埚体的上边缘处。
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