[发明专利]一种利用光化学气相沉积制备α_SiH膜的设备无效
申请号: | 201310549415.X | 申请日: | 2013-11-07 |
公开(公告)号: | CN103628044A | 公开(公告)日: | 2014-03-12 |
发明(设计)人: | 陈路玉 | 申请(专利权)人: | 中山市创科科研技术服务有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/42 |
代理公司: | 中山市铭洋专利商标事务所(普通合伙) 44286 | 代理人: | 吴剑锋 |
地址: | 528400 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 发明公开了一种制备无掺杂α_SiH膜的装置,其特征在于:包括有真空室,在所述真空室内设有基片安装座,在所述真空室内部与基片安装座对应的位置上设有石英玻璃,在所述真空室上与石英玻璃对应的位置上设有汞灯,在所述真空室上连接有氩气进气管,在所述真空室外设有汞源,所述的汞源通过连接管与真空室相连接,在所述汞源上设有SiH4进气管。本发明的目的是为了克服现有技术中的不足之处,提供一种结构简单,生产成本低,制备无掺杂α_SiH膜的装置。 | ||
搜索关键词: | 一种 利用 光化学 沉积 制备 _sih 设备 | ||
【主权项】:
一种利用光化学气相沉积制备α_SiH膜的设备,其特征在于:包括有真空室(1),在所述真空室(1)内设有基片安装座(2),在所述真空室(1)内部与基片安装座(2)对应的位置上设有石英玻璃(3),在所述真空室(1)上与石英玻璃(3)对应的位置上设有汞灯(4),在所述真空室(1)上连接有氩气进气管(5),在所述真空室(1)外设有汞源(6),所述的汞源(6)通过连接管(7)与真空室(1)相连接,在所述汞源(6)上设有SiH4进气管(8),在所述基片安装座(2)内设有基片加热器(9)。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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