[发明专利]MOS开关电路在审

专利信息
申请号: 201310556694.2 申请日: 2013-11-11
公开(公告)号: CN104639133A 公开(公告)日: 2015-05-20
发明(设计)人: 朱红卫;赵郁炜 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: H03K17/687 分类号: H03K17/687
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 丁纪铁
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种MOS开关电路,包括:NMOS开关管、电容和由多个切换开关组成的切换开关网络,通过控制信号对切换开关网络进行切换实现电路在截止和导通两种状态的切换;在截止状态时电容的两端连接在电源电压和地之间从而实现充电,NMOS开关管的栅极接地从而使NMOS开关管截止;在导通状态时,NMOS开关管导通且电容的两端连接在述NMOS开关管的栅极和源极之间并使NMOS开关管的栅源电压保持稳定。本发明能使开关晶体管的导通电阻与输入电压无关,有效提高开关的线性;能提高输入信号的摆幅,实现满摆幅输入。
搜索关键词: mos 开关电路
【主权项】:
一种MOS开关电路,其特征在于,包括:NMOS开关管、电容和由多个切换开关组成的切换开关网络;所述NMOS开关管的源极接输入信号、漏极接输出信号;所述电容的第一端和电源电压之间设置有至少一个第一切换开关,所述电容的第一端和所述NMOS开关管的栅极之间有至少一个第二切换开关;所述电容的第二端和地之间设置有至少一个第三切换开关,所述电容的第二端和所述NMOS开关管的源极之间有至少一个第四切换开关;所述NMOS开关管的栅极和地之间设置有至少一个第五切换开关;MOS开关电路包括开关截止和开关导通两种工作状态,所述第一切换开关、所述第三切换开关和所述第五切换开关的开关状态由同一控制信号控制,所述第二切换开关和所述第四切换开关的开关状态由所述控制信号的反相信号控制;通过所述控制信号及其反相信号对各所述切换开关的控制实现所述MOS开关电路在两种工作状态之间的切换;在开关截止状态时,所述第一切换开关、所述第三切换开关和所述第五切换开关导通,所述第二切换开关和所述第四切换开关断开,所述电容的两端连接在电源电压和地之间从而实现充电,所述NMOS开关管的栅极接地从而使所述NMOS开关管截止;在开关导通状态时,所述第一切换开关、所述第三切换开关和所述第五切换开关断开,所述第二切换开关和所述第四切换开关导通,所述电容的两端连接在所述NMOS开关管的栅极和源极之间并使所述NMOS开关管的栅源电压保持稳定,所述NMOS开关管的栅极和地之间断开,所述NMOS开关管导通。
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