[发明专利]半导体发光元件和发光装置有效
申请号: | 201310561694.1 | 申请日: | 2013-11-12 |
公开(公告)号: | CN103811617B | 公开(公告)日: | 2016-11-30 |
发明(设计)人: | 篠原裕直 | 申请(专利权)人: | 丰田合成株式会社 |
主分类号: | H01L33/32 | 分类号: | H01L33/32;H01L33/36 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 段承恩;杨光军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明使来自经面朝上安装而使用的半导体发光元件的光的输出增加。一种半导体发光元件(1),具有:n型半导体层(120)、发光层(130)、p型半导体层(140);连接于p型半导体层(140)的p侧供电部(150);和连接于n型半导体层(120)的n侧供电部(160)。p侧供电部(150)中的p侧供电电极(152)以及n侧供电部(160)中的n侧供电电极(162),从发光层(130)观察设在p型半导体层(140)的背面侧,在p型半导体层(140)与这些p侧供电电极(152)以及n侧供电电极(162)之间,形成有容易反射来自发光层(130)的光的被设定为第1厚度的供电绝缘层(170),在这些电极不存在的部位,除了形成有供电绝缘层(170)以外还形成有被设定为第2厚度的保护绝缘层(180),由此被设定成容易使来自发光层(130)的光透射的第3厚度。 | ||
搜索关键词: | 半导体 发光 元件 装置 | ||
【主权项】:
一种半导体发光元件,其特征在于,具备:由具有第1导电类型的化合物半导体构成的第1半导体层;在所述第1半导体层上与该第1半导体层接触地设置,由化合物半导体构成并且通过通电而发光的发光层;在所述发光层上与该发光层接触地设置,由具有与所述第1导电类型不同的第2导电类型的化合物半导体构成的第2半导体层;从所述发光层观察设在所述第2半导体层的背面侧,由对于从该发光层输出的波长的光具有透射性的绝缘材料构成,被设定为第1厚度的第1透明绝缘层;从所述发光层观察设在所述第1透明绝缘层的背面侧,由金属构成并且与所述第1半导体层电连接的第1供电电极;从所述发光层观察设在所述第1透明绝缘层的背面侧,由金属构成并且与所述第2半导体层电连接的第2供电电极;和从所述发光层观察设在所述第1透明绝缘层的背面侧,由对于从该发光层输出的波长的光具有透射性的绝缘材料构成,被设定为第2厚度的第2透明绝缘层,将所述第1厚度设定为从所述发光层输出的波长的光容易被反射的大小,将所述第1厚度加上所述第2厚度所得的第3厚度设定为从所述发光层输出的波长的光容易被透射的大小。
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