[发明专利]半导体发光元件和发光装置有效

专利信息
申请号: 201310561694.1 申请日: 2013-11-12
公开(公告)号: CN103811617B 公开(公告)日: 2016-11-30
发明(设计)人: 篠原裕直 申请(专利权)人: 丰田合成株式会社
主分类号: H01L33/32 分类号: H01L33/32;H01L33/36
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 段承恩;杨光军
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明使来自经面朝上安装而使用的半导体发光元件的光的输出增加。一种半导体发光元件(1),具有:n型半导体层(120)、发光层(130)、p型半导体层(140);连接于p型半导体层(140)的p侧供电部(150);和连接于n型半导体层(120)的n侧供电部(160)。p侧供电部(150)中的p侧供电电极(152)以及n侧供电部(160)中的n侧供电电极(162),从发光层(130)观察设在p型半导体层(140)的背面侧,在p型半导体层(140)与这些p侧供电电极(152)以及n侧供电电极(162)之间,形成有容易反射来自发光层(130)的光的被设定为第1厚度的供电绝缘层(170),在这些电极不存在的部位,除了形成有供电绝缘层(170)以外还形成有被设定为第2厚度的保护绝缘层(180),由此被设定成容易使来自发光层(130)的光透射的第3厚度。
搜索关键词: 半导体 发光 元件 装置
【主权项】:
一种半导体发光元件,其特征在于,具备:由具有第1导电类型的化合物半导体构成的第1半导体层;在所述第1半导体层上与该第1半导体层接触地设置,由化合物半导体构成并且通过通电而发光的发光层;在所述发光层上与该发光层接触地设置,由具有与所述第1导电类型不同的第2导电类型的化合物半导体构成的第2半导体层;从所述发光层观察设在所述第2半导体层的背面侧,由对于从该发光层输出的波长的光具有透射性的绝缘材料构成,被设定为第1厚度的第1透明绝缘层;从所述发光层观察设在所述第1透明绝缘层的背面侧,由金属构成并且与所述第1半导体层电连接的第1供电电极;从所述发光层观察设在所述第1透明绝缘层的背面侧,由金属构成并且与所述第2半导体层电连接的第2供电电极;和从所述发光层观察设在所述第1透明绝缘层的背面侧,由对于从该发光层输出的波长的光具有透射性的绝缘材料构成,被设定为第2厚度的第2透明绝缘层,将所述第1厚度设定为从所述发光层输出的波长的光容易被反射的大小,将所述第1厚度加上所述第2厚度所得的第3厚度设定为从所述发光层输出的波长的光容易被透射的大小。
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